[发明专利]用于串行EEPROM的新的存储器架构在审
| 申请号： | 202111038221.4 | 申请日： | 2021-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN114155890A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | L·穆里洛 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C8/08 | 分类号： | G11C8/08;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于串行EEPROM的新的存储器架构。在一个实施例中，一种电可擦除可编程可读存储器包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元组织在以矩阵方式排列成行和列的存储器平面中，其中，每个存储器单元包括具有源极区、漏极区、位于漏极侧的注入窗口、控制栅极和浮置栅极的状态晶体管和具有源极区、漏极区和栅极的隔离晶体管；以及隔离屏障，包括掩埋层和从掩埋层延伸到衬底的表面的至少一个壁，其中，至少一个壁垂直于掩埋层，并且其中，隔离屏障形成围绕存储器单元中的至少一个并将其与衬底的其余部分隔离的内部衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 串行 eeprom 存储器 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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