[发明专利]鳍式半导体器件的制备方法有效
| 申请号： | 202111045921.6 | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN113764348B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 耿金鹏;刘洋;杨渝书 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201821 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式半导体器件的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括PMOS区域和NMOS区域，在所述PMOS区域的基底上形成第一鳍片材料层；在所述基底上形成第二鳍片材料层，所述第二鳍片材料层保形地覆盖所述NMOS区域的基底及所述第一鳍片材料层；在所述第二鳍片材料层上保形地形成掩模层；研磨以去除部分厚度的所述掩模层；刻蚀以去除所述掩模层、所述PMOS区域的第二鳍片材料层及所述NMOS区域的部分厚度的第二鳍片材料层；在所述NMOS区域形成所述NMOS管的鳍片及在所述PMOS区域形成所述PMOS管的鳍片；本发明减小了NMOS管的鳍片与PMOS管的鳍片的高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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