[发明专利]一种提取CoCrNi中熵合金浅纳米压痕的方法及装置在审
| 申请号： | 202111046491.X | 申请日： | 2021-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN114002238A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王章洁;刘俏君;田鑫涛;刘南君 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N23/04 | 分类号： | G01N23/04;G01N23/20058;G01N23/20008;G01N1/28;G01N1/32;C23C14/16;C23C14/02;C22F1/00;C21D1/26;C23C14/04;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本公开揭示了一种提取CoCrNi中熵合金浅纳米压痕的方法，包括如下步骤：对CoCrNi样品进行退火热处理，将退火热处理后的CoCrNi样品进行打磨和抛光处理；以抛光处理后的CoCrNi样品表面的平整区域作为测试区域，并在该测试区域进行阵列打点以产生纳米压痕阵列；在打点过程中，实时观察纳米压痕阵列中每个纳米压痕的P‑h曲线，当需要表征的压痕发生位移突跳后停止阵列打点；对纳米压痕阵列进行定位，并对纳米压痕阵列中的浅压痕部分进行Pt沉积和切割处理；提取切割后的浅压痕部分，并对所提取的浅压痕部分进行减薄处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提取 cocrni 合金 纳米 压痕 方法 装置 | ||
【主权项】：
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