[发明专利]浮置接触孔的形成方法及半导体器件在审
| 申请号： | 202111056393.4 | 申请日： | 2021-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115799164A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘群;张松;周耀辉;王德进;朱文明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种浮置接触孔的形成方法及半导体器件，所述方法包括：获取衬底，衬底上形成有隧道氧化层和多个栅极；形成金属硅化物阻挡层；形成自对准金属硅化物；形成层间介质层；在层间介质层上光刻得到光刻胶图案，光刻胶图案包括浮置接触孔中间的小胶条；以光刻胶图案为刻蚀掩膜层，刻蚀浮置接触孔。本发明通过控制曝光条件得到厚度比其余保留的光刻胶更小的胶条，浮置接触孔的刻蚀速率被该小胶条减缓，因此金属硅化物阻挡层无需做厚就能保证浮置接触孔底部的氧化层有足够厚度从而确保足够的器件耐压，而厚度小的金属硅化物阻挡层有利于避免在小线宽的逻辑器件/存储器的相邻栅极之间形成空洞，从而可以达到最小面积和最优的经济收益。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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