[发明专利]一种DDR自适应方法及自适应电路在审

专利信息
申请号: 202111066564.1 申请日: 2021-09-13
公开(公告)号: CN113867813A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 张春;陈刚;潘浩 申请(专利权)人: 广州朗国电子科技股份有限公司
主分类号: G06F9/4401 分类号: G06F9/4401;G06F13/40;G06F3/05;H03M1/12
代理公司: 广州市专注鱼专利代理有限公司 44456 代理人: 张志鹏
地址: 510000 广东省广州市黄埔区*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种DDR自适应方法及自适应电路,其中自适应电路包括主芯片、电阻RL26、上拉电阻RL169和若干个并联的下拉电阻;所述主芯片至少有一个ADC端口;电阻RL169的一端连接电压VCC,另一端连接电阻RL26的一端和若干个并联的下拉电阻的一端;电阻RL26的另一端连接到主芯片的ADC端口;若干个并联的下拉电阻的另一端接地;根据所需的DDR容量值设置下拉电阻的阻值。本发明不用区分不同DDR配置的软件,提高了软件的灵活性,更加便于软件的管控,整体工作效率更高,更人性化,更加符合市场的需求。
搜索关键词: 一种 ddr 自适应 方法 电路
【主权项】:
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