[发明专利]一种硅基电容集成结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111068837.6 | 申请日： | 2021-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN113871200A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 徐建卫;汪鹏 | 申请（专利权）人： | 赫芯（浙江）微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/002 | 分类号： | H01G4/002;H01G4/228;H01G4/005;H01G4/08;H01G4/10;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇 |
| 地址： | 314299 浙江省嘉兴市平湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基电容集成结构及其制备方法，该硅基电容集成结构包括：衬底，隔离层，隔离层形成在衬底上；下电极层，下电极层设置在隔离层上；台阶结构，台阶结构设置在下电极层上，台阶结构内包围有至少一层介电层，介电层覆盖在下电极层上；上电极层，上电极层覆盖在介电层上；其中，台阶结构分隔介电层与上电极层的打线区域。基于上述结构，台阶结构能够分隔介电层与上电极层的打线区域，这样使得该电容的打线区域位于台阶结构的外部，避免打线应力集中在介电层内，从而避免电容的薄膜区域被击穿的情况发生，实现了可视化嵌埋电容结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 集成 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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