[发明专利]一种晶圆基座表面喷砂加工工艺在审
申请号: | 202111074307.2 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN113829242A | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 贺进;姚相民;叶定云;郭凯;周斌 | 申请(专利权)人: | 杭州之芯半导体有限公司 |
主分类号: | B24C3/02 | 分类号: | B24C3/02;B24C9/00 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 汪利胜 |
地址: | 310020 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆基座表面喷砂加工工艺,旨在解决晶圆基座凸台加工不便,成本高的不足。晶圆基座表面上的凸台加工时,用胶膜粘贴在凸台位置,喷砂时,喷出的细砂撞击到胶膜上,胶膜对凸台位置起到了保护作用,不会喷到凸台表面而去除厚度形成喷砂层。晶圆基座加工面喷砂完成后,撕下胶膜。晶圆基座加工面未粘贴到胶膜的部位进行喷砂处理后表面去除一定厚度,从而使晶圆基座上粘贴胶膜的部位凸出形成凸台。通过这种方式对晶圆基座表面的凸台进行加工,加工方便,不需要专用的设备进行加工,只需要用到现成的喷砂机即可,有利于降低加工成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 基座 表面 喷砂 加工 工艺 | ||
【主权项】:
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