[发明专利]一种改善自加热效应的SOI LDMOS器件在审
| 申请号： | 202111075831.1 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113782610A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 杨洋 | 申请（专利权）人： | 江苏芯唐微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善自加热效应的SOI LDMOS器件，涉及SOI器件领域，该器件利用层叠设置的P型重掺杂硅层和N型轻掺杂半导体层替代常规的埋氧层，同样可以实现埋氧层的介质隔离效果，且由于硅层和半导体层的热导率相比于常规的埋氧层都高得多，因此可以使SOI LDMOS器件在具有速度快、功耗低的优点的基础上可以改善自加热效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 加热 效应 soi ldmos 器件 | ||
【主权项】：
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