[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111085658.3 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113972200A | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 顾杰斌;夏伟锋;王壮苗 | 申请（专利权）人： | 上海迈铸半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/528;H01L23/64;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海和华启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 王仙子 |
| 地址： | 200233 上海市徐汇区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制备方法，将电感设置在衬底中，在衬底上设置其他有源器件和无源器件，有效的利用了衬底来节约电感的体积，将现有技术中设置在衬底上的电感的空间节省出来，从而使得整体结构更紧凑，体积更小，集成度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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