[发明专利]倒装发光芯片及其制备方法在审
申请号: | 202111088888.5 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN114038964A | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 戴广超;张雪梅 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明涉及一种倒装发光芯片及其制备方法,该芯片包括:外延层,外延层包括依次层叠设置的第一半导体层、有源层和第二半导体层;依次设置在上述外延层表面的具备第一、二通孔的第一绝缘反射层,具备第三、第四通孔的第二绝缘反射层,第一、二、三、四通孔在外延层上的投影不重合;第一、二导电层,第一、二导电层位于第一绝缘反射层和第二绝缘反射层之间分别通过第一通孔和第二通孔以与第一半导体层、第二半导体层分别电连接;第一、二电极,第一电极通过第三通孔与第一导电层电连接,第二电极通过第四通孔与第二半导体电连接,改善了芯片绝缘反射层开孔处反射率低的问题,使芯片的光提取效率增加,提升了芯片亮度。 | ||
搜索关键词: | 倒装 发光 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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