[发明专利]一种半导体晶体刻蚀设备在审
申请号: | 202111090009.2 | 申请日: | 2021-09-16 |
公开(公告)号: | CN113793820A | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 黄敏谊 | 申请(专利权)人: | 广州皓景数码科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C30B33/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广州市天河区中山大道中439*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体晶体刻蚀设备,包括机体以及所述机体中的覆膜腔,所述覆膜腔左右壁上对称设有第一电动滑轨,所述第一电动滑轨上滑动设有覆膜板,所述覆膜板上端固定设有覆膜装置,所述覆膜装置能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面,设备设有导管,通过导管能够在晶体表面滴加少量的刻蚀液从而对晶体进行刻蚀处理,避免了过多的刻蚀液对晶体造成的损坏,并且无需后续对刻蚀液进行回收处理,减少了工作步骤提高了效率,同时装置中设有挡板,挡板能够在刻蚀液对晶体进行刻蚀时防止其向刻痕的两侧移动,避免了刻蚀液腐蚀刻痕的两侧,从而对晶体进行保护,确保刻蚀后的晶体能够正常使用,并使得晶体上的刻痕更加美观。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 晶体 刻蚀 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造