[发明专利]一种半导体晶体刻蚀设备在审

专利信息
申请号: 202111090009.2 申请日: 2021-09-16
公开(公告)号: CN113793820A 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 黄敏谊 申请(专利权)人: 广州皓景数码科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;C30B33/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510000 广东省广州市天河区中山大道中439*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种半导体晶体刻蚀设备,包括机体以及所述机体中的覆膜腔,所述覆膜腔左右壁上对称设有第一电动滑轨,所述第一电动滑轨上滑动设有覆膜板,所述覆膜板上端固定设有覆膜装置,所述覆膜装置能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面,设备设有导管,通过导管能够在晶体表面滴加少量的刻蚀液从而对晶体进行刻蚀处理,避免了过多的刻蚀液对晶体造成的损坏,并且无需后续对刻蚀液进行回收处理,减少了工作步骤提高了效率,同时装置中设有挡板,挡板能够在刻蚀液对晶体进行刻蚀时防止其向刻痕的两侧移动,避免了刻蚀液腐蚀刻痕的两侧,从而对晶体进行保护,确保刻蚀后的晶体能够正常使用,并使得晶体上的刻痕更加美观。
搜索关键词: 一种 半导体 晶体 刻蚀 设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州皓景数码科技有限公司,未经广州皓景数码科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111090009.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top