[发明专利]一种采用GaN红紫外传感器检测零值绝缘子放电分布的方法有效

专利信息
申请号: 202111095141.2 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN113808109B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 杨柳青;刘卉莲;覃敬文;段杰;张俊文;蒙焕理;金炬峰;罗华枫;赵世钦;毛光祥 申请(专利权)人: 贵州电网有限责任公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/11;G06T7/136;G06T5/30
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人: 胡绪东
地址: 550002 贵*** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种采用GaN红紫外传感器检测零值绝缘子放电分布的方法,该方法为:采用GaN红紫外传感器获取绝缘子的紫红外综合图谱,通过图像分割,灰度处理,阈值分割算法,开闭运算,区域轮廓阈值提取法,对图像进行综合处理,最后得到了零值绝缘子放电分布的具体数据和图像,使得GaN红紫外传感器获取的绝缘子参数与放电形成一一对应的关系,并对放电异常进行预警,分辨出零值绝缘子,从而工作人员及时发现处理并清除故障,从而减少零值绝缘子造成的重大安全事故,有效减少由这些事故造成的重大经济损失,具有极高的安全价值和良好的经济效益。
搜索关键词: 一种 采用 gan 紫外 传感器 检测 绝缘子 放电 分布 方法
【主权项】:
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