[发明专利]形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件在审
| 申请号： | 202111097139.9 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113809009A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 侯会丹;姚兰;石艳伟 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28;H01L27/088;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件。该方法包括：通过在衬底内形成器件绝缘区域将衬底分割成高压器件区域和低压器件区域；在高压器件区域形成凹槽；在衬底上形成栅极氧化层；在栅极氧化层上沉淀多晶硅层；以及刻蚀去除多晶硅层的至少一部分，以使得多晶硅层对应于低压器件区域的部分的厚度不同于其对应于高压器件区域的部分的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 方法 以及 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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