[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202111097921.0 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948396A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括：步骤一、对半导体衬底进行刻蚀形成鳍体；步骤二、沉积FCVD氧化层将鳍体之间的间隔区域完全填充；步骤三、进行第一次退火使FCVD氧化层进行第一次固化；步骤四、对FCVD氧化层进行回刻从而露出鳍体的顶部部分。步骤五、沉积牺牲介质层将鳍体的顶部部分包围；步骤六、进行第二次退火使所述FCVD氧化层完全固化，第二次退火中FCVD氧化层的氧会对鳍体的材料产生消耗从而使鳍体的底部部分的宽度减小，用以提升鳍式场效应晶体管的防穿通能力；步骤七、去除所述牺牲介质层。本发明能提高器件的防穿通能力，提高沟道载流子的迁移率，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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