[发明专利]同时提升PMOS和NMOS的性能的方法在审
| 申请号： | 202111097946.0 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948518A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 樊秦 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种同时提升PMOS和NMOS的性能的方法，包括：步骤一、提供半导体衬底；步骤二、外延生长第一外延薄层，在生长过程中间隙性提供氧气氛以在第一外延薄层中形成氧插层；步骤三、外延生长第二外延盖帽层；步骤四、进行图形化刻蚀形成浅沟槽，浅沟槽定义出多个有源区；第一外延薄层和所述第二外延盖帽层形成有源区的表面区域并作为PMOS和NMOS的沟道区的形成区域，通过氧插层同时提升PMOS和NMOS的性能；步骤五、在浅沟槽中填充场氧化层形成浅沟槽隔离。本发明能同时提升PMOS和NMOS的沟道区的电学性能从而同时提升PMOS和NMOS的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 提升 pmos nmos 性能 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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