[发明专利]超结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111098970.6 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113782445A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 王加坤 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310051 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种超结器件及其制造方法。该超结器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成外延层；在外延层中形成多个第一半导体柱；在外延层上形成牺牲叠层；以牺牲叠层作为第一硬掩模，在外延层中形成体区，体区具有与第一硬掩模对齐的第一边缘；在牺牲叠层的侧壁形成侧墙；以牺牲叠层和侧墙作为第二硬掩模，在体区中形成源区，源区具有与第二硬掩模对齐的第一边缘；去除牺牲叠层；以及在外延层上形成栅叠层，栅叠层横跨体区的第一边缘和源区的第一边缘，使得超结器件的沟道长度对应于牺牲叠层的侧墙厚度。该制造方法采用牺牲叠层的侧墙控制沟道长度以提高超结器件的一致性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
