[发明专利]一种晶圆加热装置及其控制方法有效
| 申请号： | 202111104480.2 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113838779B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 邓岗 | 申请（专利权）人： | 上海芯源微企业发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H05B1/02 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区临*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆加热装置，所述装置的第一盘体和第二盘体形成用于放置晶圆的密闭区域，加热器用于对所述晶圆进行加热，所述第一盘体包括第一子区域和第二子区域，两个子区域分别设有第一气道和第二气道，且第一气道连通所述密闭区域和第一吸气机构、第二气道连通所述密闭区域和第二吸气机构，可以实现所述密闭区域的气体流动。装置还包括设于第一子区域的第一温度检测器和设于第二子区域第二温度检测器，用于采集各子区域中的温度采样值。装置还包括控制器，达到自动控制吸气结构的启闭，从而保证晶圆表面平整的目的。本发明的晶圆加热装置可以使晶圆在进行烘烤工艺时不发生翘曲，也能保证晶圆表面烘烤温度的均匀性，提高晶圆成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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