[发明专利]一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法在审
| 申请号： | 202111111328.7 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113808964A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 郑文昭;李彪;张乐银;向圆;欧阳径桥;刘仲敏 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/603 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于多芯片小尺寸的异质共晶方法，包括以下步骤：1）.将助焊膏涂抹在镀镍管壳底部，把焊料片粘在使镀镍管壳底部，在焊料片上点滴助焊剂，将芯片粘接在焊料片上；2）.把粘好芯片的镀镍管壳在80℃烘烤5分钟；3）.在烘烤过的镀镍管壳放入回流炉内进行烧结，烧结过程为第一段230℃条件下预热4分钟，第二段250℃条件下预热4分钟；310℃恒温条件下共晶6分钟，最后进入冷却区。发明有效提升了现有的效率，而针对于多芯片共晶不需要制作特殊工装限位，节省开模加工时间和成本，采用镀镍管壳和金锡焊料共晶较之前降低成本三分之一，且参数均达到需求，效果显著。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 芯片 尺寸 异质共晶 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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