[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111113746.X | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN114335137A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 工藤和树;藤井秀纪;高桥彻雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
得到降低了RC‑IGBT的二极管区域的恢复损耗的半导体装置。本发明涉及的半导体装置为IGBT区域(10)和二极管区域(20)相邻地设置的RC‑IGBT。在二极管区域(20)中设置：p型阳极层(25)，其与n |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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