[发明专利]一种基于氨基配位稳定的石墨相氮化碳-过渡金属基半导体复合光催化材料的制备方法有效
| 申请号： | 202111121341.0 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113713842B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 靳军涛;刘洪;安瑞;杨小兵;田禹;李代坤 | 申请（专利权）人： | 中广核环保产业有限公司;哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;B01J35/10;B01J37/03 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝龙工*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种基于氨基配位稳定的石墨相氮化碳‑过渡金属基半导体复合光催化材料的制备方法，属于光催化技术领域。本发明要解决现有通过简单热聚合法制备得到的石墨烯氮化碳比表面积小，水中分散性差，可见光响应弱，与过渡金属基半导体材料复合后过渡金属不稳定，易溶出的问题。方法：一、制备多孔石墨相氮化碳前驱体；二、制备多孔石墨相氮化碳；三、制备石墨相氮化碳分散液；四、过渡金属与多孔石墨相氮化碳混合；五、共沉淀。本发明用于基于氨基配位稳定的石墨相氮化碳‑过渡金属基半导体复合光催化材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氨基 稳定 石墨 氮化 过渡 金属 半导体 复合 光催化 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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