[发明专利]包括凸块下金属化焊盘的半导体封装件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111121406.1 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114551393A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 李在彦;朱昶垠;崔圭振 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;肖学蕊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括：半导体芯片；下再分布层，其位于半导体芯片的下表面上；下钝化层，其位于下再分布层的下表面上；UBM焊盘，其位于下钝化层上，并且包括上焊盘和连接到上焊盘的下焊盘，上焊盘在其上表面处的水平长度大于在其下表面处的水平长度；种子层，其位于下钝化层与UBM焊盘之间；以及外部连接端子，其位于UBM焊盘的下表面上，其中，种子层包括覆盖上焊盘的侧表面的第一种子部分、覆盖上焊盘的下表面的一部分的第二种子部分以及覆盖下焊盘的侧表面的一部分的第三种子部分。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 凸块下 金属化 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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