[发明专利]3D NAND闪存及其操作方法在审
| 申请号： | 202111121503.0 | 申请日： | 2020-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113823347A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘红涛;黄德佳;魏文喆;黄莹 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/08;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于三维(3D)NAND闪存的编程方法包括：对所述3D NAND闪存进行编程；利用至少一个验证电压执行第一验证过程；确定所述第一验证过程的第一验证电压是否高于默认电压；以及当所述第一验证电压高于所述默认电压时，对所述选择字线施加第一验证电压，同时，对未选中上选择字线进行接地。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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