[发明专利]读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件在审
| 申请号： | 202111122286.7 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114446336A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李硕宰;元福渊;金暻旻;金东建;柳明植;白寅硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06;G11C7/18;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件。所述读出放大器，包括：包括在第一方向上彼此间隔开的第一晶体管和第二晶体管的位线读出放大器；被配置为将第一晶体管电连接到第二晶体管并且在第一方向上延伸第二导线；以及被配置为至少部分地与第二导线交叠并且设置在第一晶体管与第二晶体管之间的局部读出放大器。局部读出放大器包括：有源区；至少部分地在第一方向上延伸并且设置在有源区上的多个栅极图案；设置在多个栅极图案之间并且包括在第一方向上延伸的长边和在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边的第一接触；以及在俯视图中与第一接触交叠的同时电连接到第一接触并且包括在第一方向上延伸的第一导电区的第一导线。 | ||
| 搜索关键词： | 读出 放大器 包括 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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