[发明专利]一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法在审
| 申请号： | 202111129304.4 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113937185A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 许志 | 申请（专利权）人： | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 362100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，它包括氢钝化工序，具体如下：采用等离子体增强化学的气相沉积法对制绒后的半导体基板表面进行氢钝化、氧化处理，之后清洗去除氢钝化、氧化处理形成的膜层。本发明的目的在于提供一种采用氢钝化的异质结太阳电池的制造方法，不但能够提高异质结太阳能电池的转换效率，而且能够解决铸造单晶硅和多晶硅体少子寿命低、杂质缺陷多等问题，使其应用于异质结太阳能电池当中，从而进一步降低异质结太阳能电池的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 钝化 异质结 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建新峰二维材料科技有限公司，未经福建新峰二维材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111129304.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
