[发明专利]一种圆晶切割方法在审
| 申请号： | 202111132819.X | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113871347A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;陈健 | 申请（专利权）人： | 惠州佰维存储科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 刘晓燕 |
| 地址： | 516000 广东省惠州*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于圆晶封装技术领域，特别涉及一种圆晶切割方法，包括在表面具有切割道及钝化层的圆晶表面通过双条窄激光在所述切割道上切割两个窄槽的步骤，所述窄槽的深度等于钝化层的厚度，所述窄槽沿所述切割道的长度方向延伸；以及在所述切割道的中心位置切割出圆晶厚度3/5的深槽；和在所述深槽将圆晶切透的步骤。本发明所提供的圆晶切割方法，可有效解决长江存储泰山圆晶切割钝化层剥离侧崩的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
