[发明专利]一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202111137568.4 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113979765B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 钟启龙;朱忠铜;李若普;朱萱哲;李哲宇 | 申请（专利权）人： | 武汉拓普准晶新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/65;C04B35/81;C04B38/00 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 王佩 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。制备方法包括如下步骤：将粉石英矿和碳粉混合球磨；将混合料压制成型后放置进1850～2000℃连续作业恒温碳管炉中加热生成碳化硅晶须；将所述碳化硅晶须与短切碳纤维、单质硅和粘结剂，以无水乙醇为球磨介质，进行湿混球磨；烘干得粉料；将粉料过筛后进行加热挤压成型材，然后放入高温真空热等静压机中，逐步升温至1900℃并进行氮气保护的同时充入气态硅，保温3小时，得到碳化硅纤维多孔陶瓷体。本发明短切碳纤维、单质硅原位进行反应烧结，和碳化硅晶须在升温过程中的晶须生长，相互弥合生长，使生胚烧结成致密化、且体积不变的碳化硅多孔陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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