[发明专利]存储芯片、存储芯片的读写方法、读写装置和单片机在审
| 申请号： | 202111139073.5 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113936727A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种存储芯片、存储芯片的读写方法、读写装置和单片机，该存储芯片包括主存储器和辅存储器，辅存储器包括缓冲器，主存储器包括：存储阵列，包括多个存储单元；多个间隔的位线，存储单元列通过位线与缓冲器一一对应地通信连接，一个存储单元列包括一条位线连接的所有存储单元。该主存储器RAM的位线的一端与辅存储器的缓冲器一一对应通信连接，使得主存储器RAM和辅存储器实现并行通信，相比于现有技术中主存储器RAM和辅存储器之间进行串行通信，大大提升了数据传输速度，提高了主存储器RAM的读写操作效率，解决了现有技术中RAM的读写操作效率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 芯片 读写 方法 装置 单片机 | ||
【主权项】：
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