[发明专利]内串联式异质结电池及其制作方法有效
| 申请号： | 202111140520.9 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113594288B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 虞祥瑞;彭文博;肖平;赵东明;田鸿翔;罗丽珍 | 申请（专利权）人： | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能集团技术创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵迪 |
| 地址： | 102209 北京市昌平区北七*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种内串联式异质结电池及其制作方法，内串联式异质结电池的第一非晶硅层包括第一P型非晶硅层和第一N型非晶硅层，第二非晶硅层包括与第一N型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二P型非晶硅层和与第一P型非晶硅层的数量相等并一一对应的第二N型非晶硅层，多个第一透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第一P型非晶硅层与位于第一侧的相邻第一N型非晶硅层电连接，多个第二透明导电层在N型单晶硅的纵向间隔分布并用于将任意第二N型非晶硅层与第二侧的相邻第二P型非晶硅层电连接，第一侧的朝向与第二侧的朝向相反。本发明提供的内串联式异质结电池具有能量转换效率高、由其组成的光伏组件封装简单方便的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 串联式 异质结 电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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