[发明专利]一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法在审
| 申请号： | 202111140606.1 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113828463A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 谭广雷;唐丹;胡洋;郑伟;李清阳;刘博研;郭丽莉;张连望;韩维娜;刘薪月;王建平;王晓民 | 申请（专利权）人： | 营口理工学院 |
| 主分类号： | B05B16/20 | 分类号： | B05B16/20;B05B9/04;B05B15/25;B05B1/02;B05B13/02;B05B13/04;B05D1/02;B05D3/02 |
| 代理公司： | 黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司 23217 | 代理人： | 杨立超 |
| 地址： | 115014 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种半导体金属氧化物薄膜材料的制备设备及制备方法，属于氧化物薄膜制备技术领域，为了解决传统通过手动送料，导致危险性大，且效率慢，且只能对局部进行加热，导致受热不均匀，制备的薄膜的均匀性和致密性差，影响成品质量的问题，且通过伸缩夹持，可根据基板大小进行调整，适用多种尺寸进行加工，能够实时进行温度掌控，便于精准控温，通过热压板导热进行热压处理，保证其热处理的均匀性，可以均匀掺杂，制备方法简便，减少制备成本，而且便于制备大面积的薄膜，提高制备效率，增加压强，防止压力不够导致雾化喷嘴堵塞，提高喷射溶液的均匀性和致密性，保证膜体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 金属 氧化物 薄膜 材料 制备 设备 方法 | ||
【主权项】：
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