[发明专利]一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法在审

专利信息
申请号: 202111142666.7 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN113808678A 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 刘延星;李润华;柯志江;张超 申请(专利权)人: 东莞理工学院
主分类号: G16C20/10 分类号: G16C20/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523808 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种模拟GH4169合金晶粒长大行为的元胞自动机方法,该方法包括以下步骤:(1)生成初始微观组织;(2)模拟晶粒长大行为。本发明是一种基于物理机制的晶粒长大行为模拟方法,可以准确地模拟GH4169合金晶粒长大行为,为合理制定GH4169合金热处理工艺提供技术支撑。
搜索关键词: 一种 模拟 gh4169 合金 晶粒 长大 行为 自动机 方法
【主权项】:
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