[发明专利]基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法有效
| 申请号： | 202111157245.1 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113716567B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 周海涛;刘大博;罗飞;罗炳威;马可欣;胡春文 | 申请（专利权）人： | 中国航发北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 仉宇 |
| 地址： | 100095 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米材料制备技术领域，公开了基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法，包括步骤通入气态碳源，对气态碳源加载直流脉冲形成激发电场，激发电场中的游离电子会被加速，导致电子雪崩形成碳等离子活性基团；所述碳等离子活性基团会与硅蒸汽反应生成碳化硅团簇，所述碳化硅团簇会在所述形核点上自组装成碳化硅纳米管。本方法具有工艺设备简单、产物纯度高、可控性强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 直流 脉冲 激发 碳化硅 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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