[发明专利]提高芯片裂片良率的裂片装置及方法在审

专利信息
申请号: 202111160677.8 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN114083703A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 汪洋;李俊生;马玮辰;尚修仲;陈冲 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: B28D5/04 分类号: B28D5/04;H01L21/78;H01L33/00;B23K26/362
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 吕耀萍
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本公开提供了提高芯片裂片良率的裂片装置及方法,属于发光二极管技术领域。裂片装置中,晶圆移动部件可以实现晶圆在各个相互间隔的部件之间的正常移动。贴膜部件包括晶圆贴膜平台、保护膜放置平台与保护膜移动组件,保护膜移动组件用于将保护膜吸附并移动至晶圆贴膜平台并贴至晶圆上。实现保护膜与晶圆的表面之间的稳定贴付,减小芯粒的移动。晶圆移动部件将贴付有保护膜的晶圆移动至劈裂平台上,第一驱动组件驱动压板压紧芯粒,减小芯粒与切割道之间位置的干涉。第二驱动组件驱动劈裂刀沿晶圆上具有的切割道劈裂相邻的两个芯粒。贴膜部件的增加以及压板的配合,能够降低芯粒在裂片过程中出现的位移,提高最终得到的芯粒的成品良率。
搜索关键词: 提高 芯片 裂片 装置 方法
【主权项】:
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