[发明专利]TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备有效

专利信息
申请号: 202111161148.X 申请日: 2021-09-30
公开(公告)号: CN113917752B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 郝龙虎;杨智超;安亚帅;乜玲芳;邓祁;王德生;郭赞武;王佩佩;曲峰;尹晓峰;张勇;王建 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;G02F1/1362
代理公司: 北京金信知识产权代理有限公司 11225 代理人: 庄何媛;范继晨
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种TFT像素结构及其制备方法、显示面板、电子设备,包括:基板;设置在基板上的栅极层,栅极层包括延第一方向延伸的栅线以及与栅线垂直设置的栅极金属台;设置在栅极金属台上的绝缘层;设置在绝缘层上的有源层、第一极以及第二极,第一极和第二极设置在有源层远离绝缘层的一侧,有源层与栅极金属台以及与栅极金属台连通的栅线部分重叠,第一极和第二极分别设置在有源层的两侧,有源层与第一极和第二极之间均存在重叠部分,第一极和第二极之间的有源层部分形成半导体区域。本公开通过新的像素结构,在制作有源层和源漏极层时通过光掩模工艺一次成型,减少了一次曝光、刻蚀、清洗流程,降低材料消耗,节约了原材成本和工厂产能。
搜索关键词: tft 像素 结构 及其 制备 方法 显示 面板 电子设备
【主权项】:
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