[发明专利]一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法有效
| 申请号： | 202111167986.8 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113936981B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;胡志凯;杨韵斐;李世磊;王金淑;周帆;高俊研;刘乐奇 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01J9/04 | 分类号： | H01J9/04;H01J1/142;H01J1/146 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，涉及微波电真空器件制造技术。在具有铼包覆钨结构的微米级颗粒粉体的基础上添加纳米级锇粉，三元混合粉体经过烧结后，会形成铼锇合金包覆钨颗粒的特殊结构粉体。在阴极基体烧结和阴极浸渍过程中内部钨会向外部扩散，在阴极表面形成稳定的钨铼锇三元合金膜层，由于铼和锇的存在能够提高阴极的电子发射密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浸渍 型钨铼锇 三元 混合 扩散 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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