[发明专利]一种光刻方法在审
| 申请号： | 202111168330.8 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN115903392A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 颜伟年;李明;王秋华;贾瑞雯;周亨杰;赵玲娟;阚强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种光刻方法，用于对光刻对象的背面进行光刻，其特征在于，所述方法包括：S1，将所述光刻对象的正面粘合于透明垫片的第一面，其中，该透明垫片的尺寸大于所述光刻对象的尺寸；S2，对所述透明垫片的第二面进行光刻，以形成一参考标识，该参考标识位于粘合区域之外；S3，根据所述参考标识在所述光刻对象的背面的特定区域光刻出光刻图形。其无需对晶圆进行切割，对准精度高；不仅可在无双面光刻功能的普通光刻机上实现，降低了光刻设备的成本；还不受晶圆尺寸限制；同时可在进行接触式光刻时保护芯片，降低碎片风险，提高芯片成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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