[发明专利]一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管在审
| 申请号： | 202111170210.1 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113871366A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 彭钰 | 申请（专利权）人： | 彭钰 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及开关管技术领域，且公开了一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，包括封装外壳，所述封装外壳的内部设置有第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛，所述第一基岛的正面设置有碳化硅芯片，所述第二基岛的正面设置有硅基MOS芯片，所述第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛的侧表面均设置有外接引脚。该芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，通过将碳化硅芯片安装在第一基岛的正面，从而可以将其安装在尺寸较小的DFN5060封装内部，进而实现将产品进行小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 用多基岛 碳化硅 功率 开关 | ||
【主权项】：
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