[发明专利]利用了表面保护物质的薄膜形成方法在审

专利信息
申请号: 202111172039.8 申请日: 2021-10-08
公开(公告)号: CN114293175A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 金才玟;金荷娜;崔雄辰;韩智娟;金河俊 申请(专利权)人: 株式会社EGTM
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/40;C23C16/52;H01L21/02
代理公司: 北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456 代理人: 许玉顺
地址: 韩国京畿道水原市灵通区新院路3*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据本发明的一实施例,利用了表面保护物质的薄膜形成方法,包括如下步骤:掺杂用前驱体供应步骤,向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体;净化步骤,对上述腔体内部进行净化;掺杂用薄膜形成步骤,向上述腔体内部供应第一反应物质,与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜;介电膜用前驱体供应步骤,向上述腔体内部供应介电膜用前驱体;净化步骤,对上述腔体内部进行净化;以及介电膜形成步骤,向上述腔体内部供应第二反应物质,与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜,上述方法在上述掺杂用薄膜形成步骤之前还包括:表面保护物质供应步骤,向上述腔体内部供应上述表面保护物质;以及净化步骤,对上述腔体内部进行净化。
搜索关键词: 利用 表面 保护 物质 薄膜 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
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