[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111186670.3 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113937065A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 金成镇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/78;B28D5/02;B28D5/00;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构及其制备方法；该半导体结构包括基底层、器件层以及应力传播层；器件层位于基底层上方，器件层包括第一介质层和器件结构，第一介质层填充器件层且隔离器件结构；应力传播层位于器件层上方，应力传播层包括第二介质层和间隔设置的多个应力传播图案，第二介质层填充应力传播层且隔离应力传播图案。多个应力传播图案能够阻止切割区域延伸至芯片区，从而降低切割难度，提高芯片的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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