[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202111190682.3 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114944363A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 金昊俊;朴范琎;裵东一;米尔科·康托尔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了半导体装置。所述半导体装置包括多个栅极结构和多个分离图案，多个栅极结构在基底上沿第一方向彼此间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸，多个分离图案分别穿透多个栅极结构中的紧邻的栅极结构。多个分离图案中的每个将紧邻的栅极结构中的对应的一个栅极结构分离成在第二方向上彼此间隔开的一对栅极结构。多个分离图案沿着第一方向彼此间隔开并且对齐。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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