[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202111202356.X | 申请日: | 2021-10-15 |
公开(公告)号: | CN115172308A | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 严大成 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/50;H01L23/522 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孙东喜;原宏宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开涉及一种半导体装置。一种半导体装置包括:第一绝缘层;多个第一电极,所述多个第一电极穿透第一绝缘层;多个第二电极,所述多个第二电极穿透第一绝缘层,所述多个第二电极位于所述多个第一电极之间;第一高介电常数层,该第一高介电常数层的介电常数高于第一绝缘层的介电常数;多个第三电极,所述多个第三电极穿透第一高介电常数层,所述多个第三电极分别连接到所述多个第一电极;以及多个第四电极,所述多个第四电极穿透第一高介电常数层,所述多个第四电极位于所述多个第三电极之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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