[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202111204390.0 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN114388612A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 西康一;田中翔;曾根田真也;小西和也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/07;H01L21/28;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供适于抑制闩锁的半导体装置。在被相邻的有源沟槽夹着的台面区域，第3半导体层具有以与相邻的有源沟槽中的一个有源沟槽接触且与另一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于第1方向的区域、以与另一个有源沟槽接触且与一个有源沟槽不接触的方式离散地配置于第1方向的区域，在被相邻的有源沟槽夹着的台面区域，第4半导体层在俯视观察时配置于与一个有源沟槽接触侧的第3半导体层和与另一个有源沟槽接触侧的第3半导体层之间、以及在第1方向上离散的第3半导体层的各区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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