[发明专利]一种镁热还原制备多孔硅负极材料的方法及反应装置有效
| 申请号： | 202111211137.8 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN114014325B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 涂飞跃;张君;封青阁;杨乐之 | 申请（专利权）人： | 长沙矿冶研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;C01B33/021;C01B33/22;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M4/38;B01J8/02;B01J8/00 |
| 代理公司： | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人： | 郭蓓霏;杨斌 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镁热还原制备多孔硅负极材料的方法，包括如下步骤：将一氧化硅或碳包覆的一氧化硅和金属镁置于同一反应空间内并使其相互不接触；然后在惰性气氛下加热，使固相的一氧化硅或碳包覆的一氧化硅与气相的金属镁接触反应；将得到的初产物经过酸洗、水洗、干燥，得到的次级产物再经过粉碎、分级、除磁后进行碳包覆，即得。得到的多孔硅负极材料相比于市售的氧化亚硅材料首次库伦效率得到了显著的提升，极大的提高了硅负极电池的能量密度。还公开了用于镁热还原制备多孔硅负极材料的反应装置，结构简单，使用方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 还原 制备 多孔 负极 材料 方法 反应 装置 | ||
【主权项】：
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