[发明专利]采用放电等离子烧结制备氮掺杂导电碳化硅陶瓷的方法在审
| 申请号： | 202111222144.8 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113735591A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李华鑫;沈伟健;杨建国;贺艳明;郑文健;闾川阳;马英鹤;郑勇;魏连峰 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 汤明 |
| 地址： | 310014 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了采用放电等离子烧结制备氮掺杂导电碳化硅陶瓷的方法，包括如下步骤：1)球磨混料：在氧化锆球磨罐中用氧化锆球对氧化铝、氧化钇和碳化硅粉末进行湿法球磨；2)粉末干燥与装配：2.1)球磨后的混合粉末进行过滤筛分，倒入玻璃容器内，然后置于干燥箱中于50～70℃下干燥6h，干燥以后的粉末再用研钵进行手工粉碎；2.2)将混合干燥以后的粉末进行装配，装配容器包括石墨模具和石墨压头；2.3)采用压片机对装配好后的粉末进行预压；3)高温烧结：将预压后的粉末置于放电等离子烧结炉中进行高温烧结。本发明采用放电等离子烧结方法，不仅在较短时间内便可制备出低电阻率和力学性能优良的碳化硅陶瓷，并且可以实现电阻率的精确调控。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 放电 等离子 烧结 制备 掺杂 导电 碳化硅 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学，未经浙江工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111222144.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种明目点睛眼药组合物和眼药水
- 下一篇：一种粉煤灰基光催化材料的制备方法
