[发明专利]VDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202111224609.3 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113937167B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孙鹤;王加坤 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘逸潇 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VDMOS器件及其制造方法，所述器件包括结构相同的元胞单元；各元胞单元构成元胞水平结构；所述元胞水平结构，包括：若干个并列的源区，和围绕各所述源区的栅极区；各所述栅极区于延伸方向上交汇重叠形成栅极交汇区，其余的形成栅极非交汇区；于所述栅极交汇区设有分隔区；于所述元胞单元对应所述栅极非交汇区设有JFET区；于所述元胞单元对应所述分隔区设有JFET隔断区；所述JFET隔断区处不同导电类型的掺杂离子浓度差大于所述JFET区处浓度差，使栅极交汇区于斜线方向上的耗尽层易于扩展，从而耗尽层更易于接触和融合，进而提高了沿所述斜线方向上的击穿电压，提升了器件的耐压性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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