[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

摘要

本发明可提高半导体发光元件的可信性及发光效率。半导体发光元件(10)包括保护层(38)，该保护层(38)具有被设置在p侧接触电极(30)上的p侧焊盘开口(38p)、以及被设置在n侧接触电极(34)上的n侧焊盘开口(38n)，覆盖n型半导体层(24)、活性层(26)及p型半导体层(28)的侧面(24c)、(26c)、(28c)，并在与p侧焊盘开口(38p)不同的位置处覆盖p侧接触电极(30)，在与n侧焊盘开口(38n)不同的位置处覆盖n侧接触电极(34)。保护层(38)包含：第1电介质层(42)，其由SiO2构成；第2电介质层(44)，其由与第1电介质层(42)不同的氧化物材料构成，并覆盖第1电介质层(42)；以及第3电介质层(46)，其由SiO2构成，并覆盖第2电介质层(44)。第1电介质层(42)的碳浓度小于第3电介质层(46)的碳浓度。