[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 202111242748.9 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN116033738A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李建忠;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构，包括：衬底；隔离结构，隔离结构形成于衬底内；字线，字线的部分位于隔离结构内；导电部，导电部位于隔离结构的底部，用于排斥电子。通过使得导电部位于隔离结构的底部，从而在字线打开时，隔离结构底部的导电部会排斥表面电子，从而阻断漏电路径，以此避免半导体结构出现漏电问题，改善半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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