[发明专利]瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111243815.9 | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114203549A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;招景丰 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/48;H01L23/62 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法，将内置导电熔丝的一端固定连接在第二焊接窗口上，另一端固定在第一焊接窗口上，且与铜跳线接触，形成失效开路二极管芯片。使得所制得的器件当反向持续承受超过其浪涌承受能力的浪涌冲击时，器件的PN结烧损而短路失效，两端因持续带电而发热，当温度上升到超过所述置导电熔丝的熔断温度而导致保险丝熔断开路，又由于具有绝缘层，可以把二极管芯片与铜跳线间绝缘，所以当保险丝熔断开路后，整个器件即处于开路状态，从而使实现失效模式为开路的功能，对于保护电路具有更高的意义和价值。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电压 抑制 电路 保护 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
