[发明专利]铜蚀刻液及阵列基板的制造方法在审
| 申请号： | 202111250311.X | 申请日： | 2021-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN114045495A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 何毅烽;康明伦 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 黄舒悦 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种铜蚀刻液及阵列基板的制造方法，该铜蚀刻液包括：10％‑20％质量分数的氧化剂；3％‑10％质量分数的螯合剂；0％‑5％质量分数的铜蚀刻抑制剂；0.5％‑5％质量分数的有机碱；0.5％‑5％质量分数的表面活性剂；以及余量的水，可以解决与蚀刻液材料相关的数据线爬坡断线问题。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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