[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202111255028.6 申请日: 2021-10-27
公开(公告)号: CN114446945A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 曹多演;金亨沃;朴尚度 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/118
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 赵南;肖学蕊
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体装置包括:标准单元,其位于与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向相交的第二方向上;和填充物单元,其位于标准单元中的标准单元之间。标准单元中的每一个包括有源区、与有源区相交的栅极结构、在有源区上位于栅极结构的两侧的源极/漏极区、以及互连线。填充物单元中的每一个包括填充物有源区和与填充物有源区相交的填充物栅极结构。标准单元包括在第二方向上分别顺序地位于第一行、第二行和第三行中的第一标准单元、第二标准单元和第三标准单元。第一互连线以第一间距布置,第二互连线以第二间距布置,并且第三互连线以与第一间距和第二间距不同的第三间距布置。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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