[发明专利]一种晶圆背面减薄的方法及晶圆结构在审
| 申请号： | 202111255085.4 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113990740A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 张志伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B1/00;B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例涉及半导体领域，提供一种晶圆背面减薄的方法及晶圆结构，其中，一种晶圆背面减薄的方法包括：提供晶圆，晶圆具有相对的第一面和第二面，且晶圆具有中心区和边缘区，边缘区包围中心区；在第一面的边缘区形成保护胶，保护胶还覆盖于与第一面相邻接的部分侧面，且保护胶顶面高于第一面；沿着第二面指向第一面的方向上，对晶圆的第二面进行减薄处理，且减薄处理过程中还对部分厚度的保护胶进行减薄，可以提高减薄晶圆过程中工艺的控制的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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